Оперативная память

Модуль памяти Samsung Original DDR4 4Gb (1x4Gb) 2400MHz (M378A5244CB0-CRC) - DIMM DDR4; 4 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; 2400 МГц; CAS Latency (CL): CL17; схема таймингов памяти: 17-17-17; 1.2 В; количество ранков: 1.

Модуль памяти Samsung DDR4 4Gb (1x4Gb) 2133MHz (M378A5143DB0-CPB) - форм-фактор и тип памяти: SoDIMM DDR4; объём памяти: 4 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 2400 МГц; CAS Latency (CL): CL17; рабочее напряжение: 1.2 В; количество ранков: 1.

Модуль памяти Samsung DDR4 8Gb 2133MHz (M378A1G43EB1-CPB) - DDR4; 8 Гб; 1х8 Гб; 2133 МГц (17060 Мб/с); CL15; 1.2 В.

Модуль памяти Hynix DDR4 8GB 2133MHz (HMA41GU6AFR8N-TF) - DDR4; 8 Гб; количество модулей в комплекте: 1; 2133 МГц.

Модуль памяти Micron Ballistix Sport LT White DDR4 8Gb (1x8Gb) 2400MHz (BLS8G4D240FSCK) - тип памяти: DDR4; объем памяти: 8 ГБ; количество модулей: 1х8 Гб; частота (пропускная способность): 2400 МГц (19200 МБ/с); наличие радиатора: есть; тайминги: CL16; питание: 1.2 В; XMP (Xtreme Memory Profiles): есть.

Модуль памяти Hynix DDR4 4Gb (1x4Gb) 2400MHz (HMA851U6AFR6N-UH) - тип памяти: DDR4; объем памяти: 4 ГБ; количество модулей: 1х4 Гб; частота (пропускная способность): 2400 МГц (19200 МБ/с); тайминги: CL17; питание: 1.2 В.

Модуль памяти Samsung DDR4 16Gb 2400MHz (M378A2K43BB1-CRC) - DDR4; 16 Гб; 1х16 Гб; 2400 МГц (19200 Мб/с); CL17; 1.2 В.

Модуль памяти Hynix DDR4 8Gb (1x8Gb) 2400MHz (HMA81GU6AFR8N-UH) - тип памяти: DDR4; объем памяти: 8 ГБ; количество модулей: 1х8 Гб; частота (пропускная способность): 2400 МГц (19200 МБ/с); тайминги: CL17; питание: 1.2 В.

Модуль памяти Hynix DDR4 4Gb (1x4Gb) 2666MHz (HMA851U6CJR6N-VKN0) - тип памяти: DDR4; объем памяти: 4 ГБ; количество модулей: 1х4 Гб; частота (пропускная способность): 2666 МГц (21328 МБ/с); тайминги: CL19; питание: 1.2 В.

Модуль памяти Micron Crucial DDR4 4Gb (1x4Gb) 2400MHz (CT4G4SFS824A) - DDR4; 4 Гб; 1x4 Гб; 2400 МГц (19200 Мб/с); CL17; 1.2 В.

Модуль памяти CORSAIR DDR4 16GB(2x8GB) 3200Mhz Vengeance LPX Black (CMK16GX4M2B3200C16) - 2 модуля памяти DDR4; объем модуля 8 Гб; форм-фактор DIMM, 288-контактный; частота 3200 МГц; радиатор; CAS Latency (CL): 16.

Модуль памяти Team Elite U-DIMM DDR4 4Gb 2400MHz (TED44G2400C1601) - DDR4; 4 Гб; 1х4 Гб; 2400 МГц (19200 Мб/с); CL16; 1.2 В.

Модуль памяти Goodram DDR4 4Gb (1x4Gb) 2400MHz (GR2400D464L17S/4G) - объем памяти: 4 ГБ; тип памяти: DDR4 SDRAM; напряжение питания: 1.2 В; частота памяти: 2400 МГц; эффективная пропускная способность: 19200 МБ/с; схема таймингов памяти: CL-17; количество планок: 1; назначение: для настольных ПК; буферизация: небуферизированная (Unbuffered); проверка и коррекция ошибок (ECC): non-ECC. ... развернутьсвернуть

Модуль памяти G.Skill Aegis DDR4 4Gb (1x4Gb) 2400MHz (F4-2400C17S-4GIS) - форм-фактор и тип памяти: DIMM DDR4; объём памяти: 4 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; тактовая частота: 2400 МГц; CAS Latency (CL): CL17; схема таймингов памяти: 17-17-17-39; рабочее напряжение: 1.2 В; поддержка XMP.

Модуль памяти GoodRam Iridium X Black DDR4 8Gb (1x8Gb) 2666MHz (IR-X2666D464L16S/8G) - тип памяти: DDR4; объем памяти: 8 ГБ; количество модулей: 1х8 Гб; частота (пропускная способность): 2666 МГц (21328 МБ/с); наличие радиатора; тайминги: CL16; питание: 1.2 В.

Модуль памяти eXceleram DDR4 8GB 3200MHz (E40832A) - 1 модуль памяти DDR4; объем памяти: 8 GB; частота шины: 3200 MHz; латентность (тайминги): CL16.

Модуль памяти Patriot DDR4 8GB 2400MHz (PSD48G240081) - DIMM DDR4; 8 ГБ; количество модулей в комплекте: 1; 2400 МГц; CL17; 1.2 В; количество ранков: 2.

Модуль памяти eXceleram DDR4 16Gb (2x8Gb) 3200MHz (E41632AD) - тип памяти: DDR4; объем памяти: 16 ГБ; количество модулей: 2х8 Гб; частота (пропускная способность): 3200 МГц (25600 МБ/с); тайминги: CL16; питание: 1.35 В.

Модуль памяти Kingston DDR4 16Gb (1x16Gb) 2666MHz (KVR26N19D8/16) - тип памяти: DDR4; объем памяти: 16 ГБ; количество модулей: 1х16 Гб; частота (пропускная способность): 2666 МГц (21328 МБ/с); тайминги: CL19; питание: 1.2 В.

Модуль памяти eXceleram DDR4 4Gb (1x4Gb) 2400MHz (E404247A) - тип памяти: DDR4; объем памяти: 4Gb; количество модулей в наборе: 1; частота памяти: 2400MHz;4 тайминги: CL17; напряжение: 1.2V; форм-фактор памяти: 288-pin DIMM; проверка и коррекция ошибок (ECC): non-ECC; буферизация: unbuffered.

Модуль памяти GoodRam Iridium X Black DDR4 16Gb (2x8Gb) 2666MHz (IR-X2666D464L16S/16GDC) - форм-фактор и тип памяти: DIMM DDR4; объём памяти: 16 ГБ; количество модулей в комплекте: 2 х 8 ГБ; тактовая частота: 2666 МГц; CAS Latency (CL): CL16; схема таймингов памяти: 16-18-18; рабочее напряжение: 1.2 В; особенности: с охлаждением (радиатор); цвет радиатора: чёрный. ... развернутьсвернуть

Модуль пам'яті для комп'ютера DDR4 32GB (2x16GB) 3200 MHz Trident Z G.Skill (F4-3200C16D-32GTZ)

Модуль памяти G.Skill Trident Z RGB DDR4 16Gb (2x8Gb) 3000MHz (F4-3000C16D-16GTZR) - тип памяти: DDR4; объем памяти: 16 ГБ; количество модулей: 2х8 Гб; частота (пропускная способность): 3000 МГц (24000 МБ/с); наличие радиатора; тайминги: CL16; питание: 1.35 В; XMP (Xtreme Memory Profiles).

Модуль памяти G.Skill Trident Z RGB DDR4 16Gb (2x8Gb) 3200MHz (F4-3200C16D-16GTZR) - форм-фактор и тип памяти: DIMM DDR4; объём памяти: 16 ГБ; количество модулей в комплекте: 2 х 8 ГБ; тактовая частота: 3200 МГц; CAS Latency (CL): CL16; схема таймингов памяти: 16-18-18-38-2N; рабочее напряжение: 1.35 В; поддержка XMP; особенности: подсветка, с охлаждением (радиатор); тип подсветки: регулируемая RGB; цвет радиатора: Black. ... развернутьсвернуть

Модуль памяти G.Skill Aegis DDR4 16GB 3000MHz (F4-3000C16D-16GISB) - DDR4; 16 ГБ; 2 x 8 ГБ; 3000 МГц; CL16; схема таймингов памяти: 16-18-18; 1.2 В; с охлаждением (радиатор); цвет радиатора: Black.

Модуль памяти G.Skill Ripjaws V Gunmetal Gray DDR4 16Gb 3200MHz (F4-3200C16D-16GVGB) - DIMM DDR4; 16 ГБ; 2 х 8 ГБ; 3200 МГц; CL16; схема таймингов памяти: 16-18-18-38; 1.35 В; поддержка XMP; с охлаждением (радиатор); цвет радиатора: Gray.

Модуль пам'яті для комп'ютера DDR4 16GB (2x8GB) 3200 MHz Ripjaws V G.Skill (F4-3200C16D-16GVKB)

Модуль памяти G.Skill DDR4 16Gb (1x16Gb) 2400MHz (F4-2400C15S-16GIS) - тип памяти: DDR4; форм-фактор: DIMM 288-контактный; тактовая частота: 2400 МГц; пропускная способность: 19200 Мб/с; объем: 1 модуль 16 Гб; CAS Latency (CL): 15; RAS to CAS Delay (tRCD): 15; Row Precharge Delay (tRP): 15; Activate to Precharge Delay (tRAS): 35; напряжение питания: 1.2 В; радиатор. ... развернутьсвернуть

Модуль памяти GoodRAM DDR4 8Gb (1x8Gb) 2400Mhz (GR2400D464L17S/8G) - DDR4; 8 Гб; 2400 МГц; cтандарт памяти: PC4-19200; пропускная способность: 19200 мб/сек.

Модуль памяти NCP DDR4 4Gb (1x4Gb) 2400MHz (NCPC9AUDR-24M58) - тип: DDR4, DIMM, 288-контактная; объем: 4 Гб; тактовая частота: 2400 МГц; пропускная способность: 19200 Мб/с; напряжение питания: 1.2 В; тайминги: CL 17.